Hersteller Produktnummer:
IPW65R018CFD7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW65R018CFD7XKSA1-DG
Beschreibung:
650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 106A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
12966626
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPW65R018CFD7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ CFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
106A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 58.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 2.91mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11659 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
446W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SP005413353
448-IPW65R018CFD7XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TPH3R704PC,LQ
MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
SIHF8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
MMFTP84W
MOSFET SOT-323 P -50V -0.13A 10?
