Hersteller Produktnummer:

DMT8008LSS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT8008LSS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 80 V 13A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta)

Inventar:

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DMT8008LSS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

80 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

13A (Ta), 32A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.8V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

47 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2840 pF @ 40 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Basis-Produktnummer

DMT8008

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMT8008LSS-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Andere Namen

DMT8008LSS-13DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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