Hersteller Produktnummer:
DMN62D1LFB-7B
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN62D1LFB-7B-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventar:
160213 Stück Neu Original Auf Lager
12888905
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMN62D1LFB-7B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
320mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
64 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X1-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-UFDFN
Basis-Produktnummer
DMN62
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN62D1LFB-7BDICT
DMN62D1LFB-7BDITR
DMN62D1LFB-7BDIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMN3009SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
DMN3009SFG-7
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
BUK7608-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
