Hersteller Produktnummer:
DMT6012LFV-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT6012LFV-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 43.3A (Tc) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Inventar:
12884294
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
7101
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMT6012LFV-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1522 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMT6012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
DMT6012LFV-7DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
CSD18543Q3AT
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
10097
TEILNUMMER
CSD18543Q3AT-DG
Einheitspreis
0.54
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMP1011UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
DMN30H14DLY-13
MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
DMTH4004LK3-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
