Hersteller Produktnummer:
DMN30H14DLY-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN30H14DLY-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 210mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-89-3
Inventar:
12884297
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DMN30H14DLY-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
96 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-89-3
Paket / Koffer
TO-243AA
Basis-Produktnummer
DMN30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMN30H14DLY-13DI
DMN30H14DLY-13DIDKR
DMN30H14DLY-13DICT
DMN30H14DLY-13DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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