DMT31M7LSS-13
Hersteller Produktnummer:

DMT31M7LSS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT31M7LSS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 78A (Tc) 1.7W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO

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DMT31M7LSS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta), 78A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5492 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta), 5.9W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMT31M7LSS

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT31M7LSS-13TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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