Hersteller Produktnummer:
DMN62D4LFB-7B
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN62D4LFB-7B-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 407mA (Ta) 500mW Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventar:
12979019
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DMN62D4LFB-7B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
407mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X1-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-UFDFN
Basis-Produktnummer
DMN62
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN62D4LFB-7BDKR
31-DMN62D4LFB-7BCT
31-DMN62D4LFB-7BTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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