Hersteller Produktnummer:
DMT15H053SK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT15H053SK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
12993016
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DMT15H053SK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
814 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMT15
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT15H053SK3-13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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