Hersteller Produktnummer:
G2K8P15S
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G2K8P15S-DG
Beschreibung:
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 150 V 2.2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
3883 Stück Neu Original Auf Lager
12993025
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G2K8P15S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
966 pF @ 75 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
3141-G2K8P15SCT
3141-G2K8P15STR
3141-G2K8P15SDKR
4822-G2K8P15STR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
G2K8P15S
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
28000
TEILNUMMER
G2K8P15S-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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