DMT10H032LK3-13
Hersteller Produktnummer:

DMT10H032LK3-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT10H032LK3-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

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DMT10H032LK3-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
683 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMT10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMT10H032LK3-13
HTML-Datenblatt
DMT10H032LK3-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT10H032LK3-13
DMT10H032LK3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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