DMPH33M8SPSWQ-13
Hersteller Produktnummer:

DMPH33M8SPSWQ-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMPH33M8SPSWQ-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12992705
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMPH33M8SPSWQ-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3775 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type Q)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMPH33

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMPH33M8SPSWQ

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMPH33M8SPSWQ-13

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

ISC030N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISZ330N12LM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

IPT017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISC037N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V