Hersteller Produktnummer:
DMPH6050SFG-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMPH6050SFG-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 6.1A (Ta), 18A (Tc) 3.2W Surface Mount
Inventar:
12884263
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMPH6050SFG-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.1A (Ta), 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1293 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Basis-Produktnummer
DMPH6050
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMPH6050SFG-13DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMP2540UCB9-7
MOSFET P-CH 25V 4A U-WLB1515-9
DMN10H120SE-13
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
DMN10H220LQ-7
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
