Hersteller Produktnummer:
DMN10H120SE-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN10H120SE-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventar:
3275 Stück Neu Original Auf Lager
12884269
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DMN10H120SE-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
549 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
DMN10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMN10H120SE-13DICT
DMN10H120SE-13DIDKR
DMN10H120SE-13DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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