Hersteller Produktnummer:
DMP21D6UFB4-7B
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMP21D6UFB4-7B-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 580mA (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventar:
10000 Stück Neu Original Auf Lager
12882553
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DMP21D6UFB4-7B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
580mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
46.1 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
510mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMP21
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMP21D6UFB4-7BDKR
31-DMP21D6UFB4-7BTR
DMP21D6UFB4-7B-DG
31-DMP21D6UFB4-7BCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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