Hersteller Produktnummer:
DMN4800LSS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN4800LSS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
22578 Stück Neu Original Auf Lager
12882581
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DMN4800LSS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.47 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
798 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.46W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
DMN4800
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMN4800LSSDIDKR
DMN4800LSSDITR
DMN4800LSS13
DMN4800LSSDICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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