Hersteller Produktnummer:
DMN65D8LT-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN65D8LT-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 210mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Inventar:
13001062
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DMN65D8LT-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
24 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-523
Paket / Koffer
SOT-523
Basis-Produktnummer
DMN65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN65D8LT-13CT
31-DMN65D8LT-13TR
31-DMN65D8LT-13DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN65D8LT-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMN65D8LT-7-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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