Hersteller Produktnummer:
GAN190-650EBEZ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
GAN190-650EBEZ-DG
Beschreibung:
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11.5A (Ta) 125W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Inventar:
2317 Stück Neu Original Auf Lager
13001067
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GAN190-650EBEZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 3.9A, 6V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 12.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7V, -1.4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
96 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
DFN8080-8
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
GAN190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
1727-GAN190-650EBEZTR
5202-GAN190-650EBEZTR
934665904332
1727-GAN190-650EBEZDKR
1727-GAN190-650EBEZCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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