Hersteller Produktnummer:
DMN65D8LDWQ-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN65D8LDWQ-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
4429 Stück Neu Original Auf Lager
12894960
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DMN65D8LDWQ-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
22pF @ 25V
Leistung - Max
300mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DMN65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN65D8LDWQ-7DKR
DMN65D8LDWQ-7-DG
31-DMN65D8LDWQ-7CT
31-DMN65D8LDWQ-7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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