Hersteller Produktnummer:
DMNH6065SPDWQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMNH6065SPDWQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 27A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)
Inventar:
12895472
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EINREICHEN
DMNH6065SPDWQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
466pF @ 25V
Leistung - Max
2.4W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type R)
Basis-Produktnummer
DMNH6065
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMNH6065SPDWQ-13DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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