DMN63D1LDW-13
Hersteller Produktnummer:

DMN63D1LDW-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN63D1LDW-13-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-363

Inventar:

12882513
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMN63D1LDW-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
30pF @ 25V
Leistung - Max
310mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DMN63

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMN66D0LDW-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2890
TEILNUMMER
DMN66D0LDW-7-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMN3013LDG-13

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333

nexperia

PMGD290UCEAX

MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP

diodes

DMN601VKQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

diodes

DMG4822SSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO