DMN3013LDG-13

Hersteller Produktnummer:

DMN3013LDG-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN3013LDG-13-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333

Detaillierte Beschreibung:

Mosfet Array 30V 9.5A (Ta), 15A (Tc) 2.16W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)

Inventar:

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DMN3013LDG-13 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

vgs(th) (max.) @ id

1.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

600pF @ 15V

Leistung - Max

2.16W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Paket / Koffer

8-PowerLDFN

Gerätepaket für Lieferanten

PowerDI3333-8 (Type D)

Basis-Produktnummer

DMN3013

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMN3013LDG-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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