Hersteller Produktnummer:
DMN6066SSS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN6066SSS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 3.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
4980 Stück Neu Original Auf Lager
12888683
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DMN6066SSS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
502 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
DMN6066
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMN6066SSS-13TR
DMN6066SSS13
DMN6066SSS-13CT
DMN6066SSS-13DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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