Hersteller Produktnummer:
DMN2450UFB4-7B
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2450UFB4-7B-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventar:
18897 Stück Neu Original Auf Lager
12888686
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DMN2450UFB4-7B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
56 pF @ 16 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN2450
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN2450UFB4-7BDKR
DMN2450UFB4-7B-DG
31-DMN2450UFB4-7BTR
31-DMN2450UFB4-7BCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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