Hersteller Produktnummer:
DMN33D8LDWQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN33D8LDWQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventar:
13000618
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DMN33D8LDWQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
48pF @ 5V
Leistung - Max
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DMN33
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN33D8LDWQ-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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