Hersteller Produktnummer:
DMN3032LFDBWQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3032LFDBWQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 5.5A (Ta) 820mW Surface Mount U-DFN2020-6 (SWP) Type B
Inventar:
13000645
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EINREICHEN
DMN3032LFDBWQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
500pF @ 15V
Leistung - Max
820mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (SWP) Type B
Basis-Produktnummer
DMN3032
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN3032LFDBWQ-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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