Hersteller Produktnummer:
DMN31D4UFZ-7B
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN31D4UFZ-7B-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 310mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Inventar:
9895 Stück Neu Original Auf Lager
13002833
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DMN31D4UFZ-7B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
310mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15.4 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN0606-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN31
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN31D4UFZ-7BCT
31-DMN31D4UFZ-7BDKR
31-DMN31D4UFZ-7BTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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