Hersteller Produktnummer:
DMN3110LCP3-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3110LCP3-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.38W Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventar:
12884432
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DMN3110LCP3-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 500mA, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.52 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
150 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.38W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN3110
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN3060LCA3-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
8420
TEILNUMMER
DMN3060LCA3-7-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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