Hersteller Produktnummer:
DMN3060LCA3-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3060LCA3-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 3.9A (Ta) 790mW Surface Mount X4-DSN1006-3
Inventar:
8420 Stück Neu Original Auf Lager
12888507
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DMN3060LCA3-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 500mA, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.677 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
192 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
790mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X4-DSN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN3060
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN3060LCA3-7CT
DMN3060LCA3-7DI-DG
31-DMN3060LCA3-7DKR
31-DMN3060LCA3-7TR
DMN3060LCA3-7DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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