Hersteller Produktnummer:
DMN2016UFX-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2016UFX-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 24V 9.9A (Ta) 1.07W (Ta) Surface Mount V-DFN2050-4
Inventar:
12887973
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMN2016UFX-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
24V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
950pF @ 10V
Leistung - Max
1.07W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
4-VFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN2050-4
Basis-Produktnummer
DMN2016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSS84V-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT563
DMN3135LVT-7
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
DMN2010UDZ-7
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN