Hersteller Produktnummer:
DMN3135LVT-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3135LVT-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
Inventar:
66125 Stück Neu Original Auf Lager
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DMN3135LVT-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
305pF @ 15V
Leistung - Max
840mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Basis-Produktnummer
DMN3135
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN3135LVT-7DITR
DMN3135LVT7
DMN3135LVT-7DICT
DMN3135LVT-7DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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