Hersteller Produktnummer:
DMN2015UFDE-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2015UFDE-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventar:
2970 Stück Neu Original Auf Lager
12887954
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DMN2015UFDE-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1779 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
660mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / Koffer
6-PowerUDFN
Basis-Produktnummer
DMN2015
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN2015UFDE-7TR
DMN2015UFDE-7DICT
31-DMN2015UFDE-7DKR
DMN2015UFDE-7-DG
31-DMN2015UFDE-7CT
DMN2015UFDE-7DIDKR
DMN2015UFDE-7DITR
DMN2015UFDE7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN2015UFDE-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2970
TEILNUMMER
DMN2015UFDE-7-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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