DMN2011UTS-13

Hersteller Produktnummer:

DMN2011UTS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN2011UTS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 20 V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventar:

165 Stück Neu Original Auf Lager

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DMN2011UTS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.5V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 7A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2248 pF @ 10 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-TSSOP

Paket / Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Basis-Produktnummer

DMN2011

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMN2011UTS-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Andere Namen

DMN2011UTS-13-DG

DMN2011UTS-13DICT

DMN2011UTS-13DIDKR

DMN2011UTS-13DITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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