Hersteller Produktnummer:

DMP22D4UFO-7B

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMP22D4UFO-7B-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 20 V 530mA (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0604-3

Inventar:

20851 Stück Neu Original Auf Lager

12884846

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DMP22D4UFO-7B Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

530mA (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.5V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.4 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

28.7 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

820mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

X2-DFN0604-3

Paket / Koffer

3-XFDFN

Basis-Produktnummer

DMP22

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMP22D4UFO-7B-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

10,000

Andere Namen

31-DMP22D4UFO-7BTR

DMP22D4UFO-7B-DG

31-DMP22D4UFO-7BCT

31-DMP22D4UFO-7BDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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