Hersteller Produktnummer:
DMN13H750S-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN13H750S-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 130 V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12887769
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DMN13H750S-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
130 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
231 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
770mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN13
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN13H750S-13DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN13H750S-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
7911
TEILNUMMER
DMN13H750S-7-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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