Hersteller Produktnummer:
DMG9N65CTI
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG9N65CTI-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 13W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
12887780
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DMG9N65CTI Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2310 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
13W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
DMG9
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
DMG9N65CTIDI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STF7N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
72
TEILNUMMER
STF7N65M2-DG
Einheitspreis
0.59
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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