Hersteller Produktnummer:
DMN10H220L-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN10H220L-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
139892 Stück Neu Original Auf Lager
12882990
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMN10H220L-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
401 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN10H220L-7DITR
DMN10H220L-7DIDKR
DMN10H220L-7DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMN67D8LV-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
BS170P
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
DMP4025SFG-7
MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
