Hersteller Produktnummer:
BS170P
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
BS170P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventar:
12883022
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Menge
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BS170P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
270mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
BS170
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
BS170P-NDR
Q2995972
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
VN10KN3-G-P002
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
2970
TEILNUMMER
VN10KN3-G-P002-DG
Einheitspreis
0.50
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
VN0808L-G
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
579
TEILNUMMER
VN0808L-G-DG
Einheitspreis
1.03
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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