Hersteller Produktnummer:

DMN1033UCB4-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN1033UCB4-7-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Detaillierte Beschreibung:

Mosfet Array 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4

Inventar:

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12950310

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DMN1033UCB4-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain zur Quellspannung (Vdss)

-

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

-

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

-

vgs(th) (max.) @ id

-

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

-

Leistung - Max

1.45W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Paket / Koffer

4-UFBGA, WLBGA

Gerätepaket für Lieferanten

U-WLB1818-4

Basis-Produktnummer

DMN1033

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

DMN1033UCB4-7DIDKR

DMN1033UCB4-7DICT

DMN1033UCB4-7DITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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