Hersteller Produktnummer:
DMN3012LEG-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3012LEG-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 20A (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)
Inventar:
12950317
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DMN3012LEG-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta), 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Leistung - Max
2.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerLDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (Type D)
Basis-Produktnummer
DMN3012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN3012LEG-13TR
DMN3012LEG-13DI
31-DMN3012LEG-13DKR
31-DMN3012LEG-13CT
DMN3012LEG-13DI-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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