Hersteller Produktnummer:
DMG4511SK4-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG4511SK4-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
Inventar:
2496 Stück Neu Original Auf Lager
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DMG4511SK4-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
35V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A, 5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850pF @ 25V
Leistung - Max
1.54W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252-4L
Basis-Produktnummer
DMG4511
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMG4511SK4-13DICT
DMG4511SK4-13DIDKR
DMG4511SK4-13DITR
DMG4511SK413
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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