Hersteller Produktnummer:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2014LHAB-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Inventar:
2886 Stück Neu Original Auf Lager
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DMN2014LHAB-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1550pF @ 10V
Leistung - Max
800mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-UFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2030-6 (Type B)
Basis-Produktnummer
DMN2014
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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