DMG1012UWQ-7
Hersteller Produktnummer:

DMG1012UWQ-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMG1012UWQ-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 950mA (Ta) 460mW Surface Mount SOT-323

Inventar:

2680 Stück Neu Original Auf Lager
13000829
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMG1012UWQ-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
950mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
43 pF @ 16 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
460mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
DMG1012

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMG1012UWQ-7TR
31-DMG1012UWQ-7CT
31-DMG1012UWQ-7DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
rohm-semi

SCT4026DRHRC15

750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

diodes

DMTH8008LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

taiwan-semiconductor

TSM60NB260CI

600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G65P06T

P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~