DDTC144GE-7-F
Hersteller Produktnummer:

DDTC144GE-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDTC144GE-7-F-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523

Inventar:

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12921376
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DDTC144GE-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DDTC (R2-ONLY SERIES) E
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-523
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-523
Basis-Produktnummer
DDTC144

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DDTC144GE-7-F
HTML-Datenblatt
DDTC144GE-7-F-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DDTC144GE-FDIDKR
DDTC144GE-FDICT
DDTC144GE-FDITR
31-DDTC144GE-7-FTR
DDTC144GE7F

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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