Hersteller Produktnummer:
DDTA115GCA-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DDTA115GCA-7-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
3301 Stück Neu Original Auf Lager
12921387
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DDTA115GCA-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Emittersockel (R2)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
82 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DDTA115
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1034-DDTA115GCA-7TR
981-DDTA115GCA-7
1034-DDTA115GCA-7DKR
DDTA115GCA7
1034-DDTA115GCA-7CT
DDTA115GCADITR
DDTA115GCADITR-DG
DDTA115GCADICT
DDTA115GCADICT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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