Hersteller Produktnummer:
CC-C2-B15-0322
Product Overview
Hersteller:
CoolCAD
Teilenummer:
CC-C2-B15-0322-DG
Beschreibung:
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
30 Stück Neu Original Auf Lager
13373452
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CC-C2-B15-0322 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
3.2V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1810 pF @ 200 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5
Andere Namen
3892-CC-C2-B15-0322
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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