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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NE85633-T1B-A
Product Overview
Hersteller:
CEL
Teilenummer:
NE85633-T1B-A-DG
Beschreibung:
SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount 3-MINIMOLD
Inventar:
36000 Stück Neu Original Auf Lager
12966860
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NE85633-T1B-A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
CEL (California Eastern Laboratories)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
7GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gewinnen
11.5dB
Leistung - Max
200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
3-MINIMOLD
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NE85633-T1B-A
HTML-Datenblatt
NE85633-T1B-A-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3923-NE85633-T1B-ATR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Alternative Modelle
Teilenummer
BF771E6327HTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2052
TEILNUMMER
BF771E6327HTSA1-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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BFR360L3E6765XTMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
13089
TEILNUMMER
BFR360L3E6765XTMA1-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
Upgrade
Teilenummer
MRF10031
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