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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NE68819-T1-A
Product Overview
Hersteller:
CEL
Teilenummer:
NE68819-T1-A-DG
Beschreibung:
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 6V 100mA 9GHz 125mW Surface Mount SC-75 (USM)
Inventar:
63000 Stück Neu Original Auf Lager
12966863
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NE68819-T1-A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
CEL (California Eastern Laboratories)
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
6V
Frequenz - Übergang
9GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1.7dB @ 2GHz
Gewinnen
8dB
Leistung - Max
125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SC-75 (USM)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NE68819-T1-A
HTML-Datenblatt
NE68819-T1-A-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3923-NE68819-T1-ATR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
DIGI-Zertifizierung
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