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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
AOTF11N60
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOTF11N60-DG
Beschreibung:
MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 11A 50W Through Hole TO-220F
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13001059
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AOTF11N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1656 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
AOTF11
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
785-AOTF11N60
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHA14N60E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1696
TEILNUMMER
SIHA14N60E-GE3-DG
Einheitspreis
0.90
ERSATZART
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