Hersteller Produktnummer:
FQI12N50TU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQI12N50TU-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12849571
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FQI12N50TU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 6.05A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
FQI1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF740ALPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
865
TEILNUMMER
IRF740ALPBF-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
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