Hersteller Produktnummer:
XP83T03GJB
Product Overview
Hersteller:
YAGEO XSEMI
Teilenummer:
XP83T03GJB-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251S
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
13001045
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XP83T03GJB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
XP83T03
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1840 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251S
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
XP83
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
80
Andere Namen
5048-XP83T03GJB
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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